XLR8 4GB DDR3-1600 комплект памяти для истинных энтузиастов

Компания PNY объявляет о выходе нового двухканального комплекта оперативной памяти XLR8 4GB DDR3-1600.

Разработанный специально для хардкорных игроков и энтузиастов, этот комплект демонстрирует выдающуюся скорость работы при минимальных задержках – его рабочие характеристики соответствуют современным индустриальным стандартам и даже превышают их.
Новые модули разработаны специально для работы с процессорами Core i5/i7 платформы LGA1156. Эти процессоры оснащаются встроенными двухканальными контроллерами памяти, из-за чего рабочее напряжение памяти не должно превышать 1,65 В. Многие комплекты памяти типа DDR3 не удовлетворяют этому запросу, но только не PNY XLR8 4GB DDR3-1600: эта пара 2-Гб модулей работает в двухканальном режиме при напряжении 1,65 В, так что она идеально подходит для новых систем с процессорами под LGA1156. Рабочая частота модулей составляет внушительные 1600 МГц, что при задержках 8-8-8-24 является великолепным показателем – модули созданы для того, чтобы быть частью быстрой производительной системы.

XLR8 4GB DDR3-1600 width=


В целях обеспечения надежности и долговечности, модули из комплекта PNY XLR8 4GB DDR3-1600 оснащены черными металлическими радиаторами, эффективно рассеивающими тепло. Благодаря их малой высоте, память, размещенная в слотах, не препятствует установке массивных процессорных кулеров. При этом, размеров радиаторов хватает для стабильной работы памяти не только в штатном режиме, но и в режиме разгона: тестовый образец комплекта XLR8 4GB DDR3-1600 достигает частоты 1984 МГц при задержках 9-9-9-24, что было бы невозможно без эффективного охлаждения, как, впрочем, и без высококачественных чипов памяти, коим нашлось применение в новых модулях.

PNY уделяет особое внимание качеству своей продукции: перед тем, как попасть в продажу, модули проходят длительное тестирование в экстремальных условиях, после чего им присваивается пожизненная гарантия.
Несмотря на все свои достоинства, комплект отличается невысокой ценой – рекомендованная розничная цена PNY XLR8 4GB DDR3-1600 составляет всего 120 долларов.


Технические характеристики PNY XLR8 4GB DDR3-1600:
Модель: 2GBH2X01E88824-165-H
Объем памяти: 4-Гб комплект (2х2 Гб)
Тип модулей: DDR3 240-pin DIMM
Частота памяти: 1600 МГц
Задержки: 8-8-8-24
Рабочее напряжение: 1,65 В
Гарантия: пожизненная
Обзор и тесты G.Skill RIPJAWS S5 6000MHz CL30 32GB. Разгон о…
Бренд G.Skill хорошо зарекомендовал себя в сегменте оперативной памяти, предлагая в том числе продвинутые…
Samsung представила NAND-память 9-го поколения…
Сегодня компания Samsung официально объявила о запуске массового производства новых чипов памяти NAND 9-г…
Samsung представит новую память GDDR7…
Если верить инсайдерам, компания Samsung планирует представить свои самые быстрые модули памяти GDDR7 сле…
Micron построит заводы стоимостью 100 миллиардов долларов…
Сегодня появилась достаточно интересная информация о компании Micron Technology — она получила внушительн…
Выручка Samsung выросла на 993% благодаря ИИ…
На волне развития технологий в области искусственного интеллекта многие компании, которые производят аппа…
На чипе AMD Ryzen 7 8700G поставлен рекорд разгона DDR5…
Известный оверклокер под ником SafeDisk установил новый рекорд по разгону памяти DDR5 на платформе AM5, и…
МегаОбзор
ЭЛ № ФС 77 - 68301. Выходные данные СМИ МегаОбзор
2006-2024
© MegaObzor